Антава

IXYS

Транзистор MKI100-12F8

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
H-bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
125 A
Корпус
E3-Pack
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMKI100-12F8
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
TopologyH-bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current125 A
КорпусE3-Pack
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
Power dissipation640 W
ТехнологияHiPerFRED™, NPT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 125A

Документация

Документ производителя