Антава

IXYS

Транзистор MKE38RK600DFELB

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
50 A
Корпус
SMPD
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMKE38RK600DFELB
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current50 A
КорпусSMPD
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance45 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.19µC
Kind of channelenhancement
Semiconductor structurediode/transistor
Reverse recovery time50ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; SMPD; diode/transistor

Документация

Документы пока не предоставлены.