Антава

ONSEMI

Транзистор MJD50T4G

MJD50T4G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
400 V
Collector current
1 A
Power dissipation
15 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMJD50T4G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage400 V
Collector current1 A
Power dissipation15 W
КорпусDPAK
Current gain30...150
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Частота10 MHz
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 15W; DPAK

Документация

Документ производителя