ONSEMI
Транзистор MJD45H11T4G
- Type of transistor
- PNP
- Polarisation
- bipolar
- Collector-emitter voltage
- 80 V
- Collector current
- 8 A
- Power dissipation
- 20 W
- Корпус
- DPAK
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 692 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%227,94 ₽
Сумма · с НДС 22%227,94 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 227,94 ₽ | |
| от 10 | 155,57 ₽ | |
| от 20 | 135,24 ₽ | |
| от 50 | 111,88 ₽ | |
| от 100 | 97,06 ₽ | |
| от 200 | 84,15 ₽ | |
| от 500 | 70,09 ₽ | |
| от 1000 | 61,16 ₽ | |
| от 2500 | 57,93 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | MJD45H11T4G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | PNP |
| Polarisation | bipolar |
| Collector-emitter voltage | 80 V |
| Collector current | 8 A |
| Power dissipation | 20 W |
| Корпус | DPAK |
| Current gain | 60 A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Частота | 90 MHz |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Документация
Документ производителяДокумент производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.