Антава

NEXPERIA

Транзистор MJD45H11J

MJD45H11J
Type of transistor
PNP
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
80 V
Collector current
8 A
Power dissipation
1.75 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMJD45H11J
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorPNP
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage80 V
Collector current8 A
Power dissipation1.75 W
КорпусDPAK, TO252
Pulsed collector current16 A
Current gain60 A
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Частота80 MHz
Исходное описание поставщика

Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 1.75W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.