ONSEMI
Транзистор MJD31CT4G
- Type of transistor
- NPN
- Polarisation
- bipolar
- Collector-emitter voltage
- 100 V
- Collector current
- 3 A
- Рассеиваемая мощность
- 15 W
- Корпус
- DPAK
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 180 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%166,45 ₽
Сумма · с НДС 22%166,45 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 166,45 ₽ | |
| от 10 | 102,95 ₽ | |
| от 20 | 91,37 ₽ | |
| от 50 | 78,16 ₽ | |
| от 100 | 69,11 ₽ | |
| от 200 | 61,33 ₽ | |
| от 500 | 51,75 ₽ | |
| от 1000 | 45,77 ₽ | |
| от 2500 | 43,97 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | MJD31CT4G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | NPN |
| Polarisation | bipolar |
| Collector-emitter voltage | 100 V |
| Collector current | 3 A |
| Рассеиваемая мощность | 15 W |
| Корпус | DPAK |
| Current gain | 10...50 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Частота | 3 MHz |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.