Антава

ONSEMI

Транзистор MJD122G

MJD122G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
Darlington
Collector-emitter voltage
100 V
Collector current
8 A
Рассеиваемая мощность
1.75 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 358 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%283,65 ₽

Сумма · с НДС 22%283,65 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1283,65 ₽
от 2220,72 ₽
от 10150,09 ₽
от 20131,87 ₽
от 75124,92 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMJD122G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Kind of transistorDarlington
Collector-emitter voltage100 V
Collector current8 A
Рассеиваемая мощность1.75 W
КорпусDPAK
Current gain300 A
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Частота4 MHz
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK

Документация

Документ производителя