Антава

ONSEMI

Транзистор MJD112T4G

MJD112T4G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
Darlington
Collector-emitter voltage
100 V
Collector current
2 A
Power dissipation
1.75 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMJD112T4G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Kind of transistorDarlington
Collector-emitter voltage100 V
Collector current2 A
Power dissipation1.75 W
КорпусDPAK
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.