Антава

ONSEMI

Транзистор MJD112G

MJD112G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
Darlington
Collector-emitter voltage
100 V
Collector current
2 A
Рассеиваемая мощность
1.75 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 215 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%174,32 ₽

Сумма · с НДС 22%174,32 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1174,32 ₽
от 1075,16 ₽
от 2570,48 ₽
от 7565,60 ₽
от 15062,79 ₽
от 37559,23 ₽
от 52558,11 ₽
от 105055,48 ₽
от 187553,61 ₽
от 300051,92 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMJD112G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Kind of transistorDarlington
Collector-emitter voltage100 V
Collector current2 A
Рассеиваемая мощность1.75 W
КорпусDPAK
Current gain100...12000
МонтажSMD — поверхностный
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.