Антава

ONSEMI

Транзистор MJD112-1G

MJD112-1G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
Darlington
Collector-emitter voltage
100V
Collector current
2A
Power dissipation
1.75W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMJD112-1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Kind of transistorDarlington
Collector-emitter voltage100V
Collector current2A
Power dissipation1.75W
КорпусIPAK
Current gain100...12000
МонтажTHT — в отверстия
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.