ONSEMI
Транзистор MJ11016G
- Type of transistor
- NPN
- Polarisation
- bipolar
- Kind of transistor
- Darlington
- Collector-emitter voltage
- 120 V
- Collector current
- 30 A
- Power dissipation
- 200 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 367 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 437,91 ₽
Сумма · с НДС 22%1 437,91 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 437,91 ₽ | |
| от 2 | 1 365,73 ₽ | |
| от 5 | 1 204,28 ₽ | |
| от 10 | 1 039,02 ₽ | |
| от 20 | 873,77 ₽ | |
| от 100 | 807,28 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | MJ11016G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | NPN |
| Polarisation | bipolar |
| Kind of transistor | Darlington |
| Collector-emitter voltage | 120 V |
| Collector current | 30 A |
| Power dissipation | 200 W |
| Корпус | TO3 |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | in-tray |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.