Антава

IXYS

Транзистор MIXA61WB1200TEH

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
boost chopper, IGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
190 A
Корпус
E3-Pack

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяMIXA61WB1200TEH
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyboost chopper, IGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current190 A
КорпусE3-Pack
Electrical mountingPress-in PCB
ТехнологияXPT™
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; XPT™

Документация

Документы пока не предоставлены.