Антава

IXYS

Транзистор MIXA61H1200ED

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
H-bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
60 A
Корпус
E2-Pack
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMIXA61H1200ED
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyH-bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current60 A
КорпусE2-Pack
Applicationmotors, photovoltaics
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
Power dissipation290 W
ТехнологияSonic FRD™, XPT™
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W

Документация

Документы пока не предоставлены.