Антава

IXYS

Транзистор MIXA60W1200TED

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT three-phase bridge, NTC thermistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
60 A
Корпус
E2-Pack
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMIXA60W1200TED
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT three-phase bridge, NTC thermistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current60 A
КорпусE2-Pack
Applicationmotors, photovoltaics
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
Power dissipation290 W
ТехнологияSonic FRD™, XPT™
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge

Документация

Документы пока не предоставлены.