Антава

IXYS

Транзистор MIXA30WB1200TED

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
buck chopper, IGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
30 A
Корпус
E2-Pack
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMIXA30WB1200TED
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologybuck chopper, IGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current30 A
КорпусE2-Pack
Applicationmotors, photovoltaics
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current75 A
Рассеиваемая мощность150 W
ТехнологияSonic FRD™, XPT™
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 30A

Документация

Документы пока не предоставлены.