Антава

IXYS

Транзистор MIXA151W1200EH

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
150 A
Корпус
E3-Pack
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMIXA151W1200EH
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current150 A
КорпусE3-Pack
Applicationmotors, photovoltaics
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current340 A
Рассеиваемая мощность695 W
ТехнологияSonic FRD™, XPT™
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge

Документация

Документы пока не предоставлены.