Антава

IXYS

Транзистор MIXA10WB1200TED

MIXA10WB1200TED
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
buck chopper, IGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
12 A
Корпус
E2-Pack
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%15 667,24 ₽

Сумма · с НДС 22%15 667,24 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 115 667,24 ₽
от 313 856,71 ₽
от 612 437,50 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMIXA10WB1200TED
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologybuck chopper, IGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current12 A
КорпусE2-Pack
Applicationmotors, photovoltaics
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current30 A
Рассеиваемая мощность60 W
ТехнологияSonic FRD™, XPT™
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 12A

Документация

Документы пока не предоставлены.