Антава

IXYS

Транзистор MII300-12A4

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
220 A
Корпус
Y3-DCB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMII300-12A4
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current220 A
КорпусY3-DCB
Applicationmotors
Electrical mountingFASTON connectors, screw
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current400 A
Power dissipation1.38 kW
ТехнологияNPT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 220A

Документация

Документы пока не предоставлены.