IXYS
Транзистор MID150-12A4
Y3-DCBИзображение корпуса
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- diode/transistor
- Topology
- boost chopper
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 120 A
- Корпус
- Y3-DCB
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | MID150-12A4 |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Topology | boost chopper |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 120 A |
| Корпус | Y3-DCB |
| Application | motors |
| Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 200 A |
| Power dissipation | 760 W |
| Технология | NPT |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; 760W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.