Антава

ONSEMI

Транзистор MGSF1N03LT1G

MGSF1N03LT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
2.1 A
Power dissipation
0.69 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 939 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%61,89 ₽

Сумма · с НДС 22%61,89 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 161,89 ₽
от 1045,01 ₽
от 5036,95 ₽
от 10034,32 ₽
от 25030,19 ₽
от 50027,19 ₽
от 100024,94 ₽
от 150023,63 ₽
от 300021,76 ₽
от 900019,50 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMGSF1N03LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current2.1 A
Power dissipation0.69 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; 690mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.