Антава

IXYS

Транзистор MG12300D-BN2MM

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
300 A
Корпус
Y3-DCB
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMG12300D-BN2MM
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current300 A
КорпусY3-DCB
Electrical mountingFASTON connectors, screw
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current600 A
ТехнологияField Stop, Trench
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.