Антава

IXYS

Транзистор MDMA360UB1600PTED

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
boost chopper, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
1.2kV
Collector current
175A
Корпус
E2-Pack
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMDMA360UB1600PTED
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyboost chopper, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current175A
КорпусE2-Pack
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current400A
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw

Документация

Документы пока не предоставлены.