Антава

IXYS

Термистор MDMA210UB1600PTED

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
boost chopper, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
84 A
Корпус
E2-Pack

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяMDMA210UB1600PTED
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyboost chopper, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current84 A
КорпусE2-Pack
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current225 A
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw

Документация

Документы пока не предоставлены.