Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Диод MDA3KP33CAE3

Фото уточняется
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3kW
Max. off-state voltage
33V
Breakdown voltage
36.7V
Semiconductor structure
bidirectional
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMDA3KP33CAE3
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3kW
Max. off-state voltage33V
Breakdown voltage36.7V
Semiconductor structurebidirectional
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels8
Рабочая температура-55...150°C
СерияMDA
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 36.7V; bidirectional; Ch: 8; -55÷150°C; MDA

Документация

Документы пока не предоставлены.