Антава

IXYS

Транзистор MCNA120UI2200TED

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/thyristor/IGBT
Topology
3-phase diode-thyristor bridge, boost chopper, NTC thermistor
Max. off-state voltage
2.2 kV
Collector current
80 A
Корпус
E2-Pack
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMCNA120UI2200TED
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/thyristor/IGBT
Topology3-phase diode-thyristor bridge, boost chopper, NTC thermistor
Max. off-state voltage2.2 kV
Collector current80 A
КорпусE2-Pack
ApplicationInverter
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 2.2kV

Документация

Документы пока не предоставлены.