Антава

IXYS

Транзистор MCB30P1200LB-TUB

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
38 A
Корпус
SMPD-B
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMCB30P1200LB-TUB
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current38 A
КорпусSMPD-B
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance52 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge115nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Semiconductor structuredouble series
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; SMPD-B

Документация

Документ производителя