ONSEMI

Диод MBR8170TFSTXG

WDFN8Изображение корпуса

Type of diode: Schottky rectifying
Корпус: WDFN8
Монтаж: SMD — поверхностный
Max. forward voltage: 0.89 V
Leakage current: 30 µA
Max. forward impulse current: 140 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	MBR8170TFSTXG
Производитель	ONSEMI
Type of diode	Schottky rectifying
Корпус	WDFN8
Монтаж	SMD — поверхностный
Max. forward voltage	0.89 V
Leakage current	30 µA
Max. forward impulse current	140 A

Исходное описание поставщика

Diode: Schottky rectifying; WDFN8; SMD

Документация

Документы пока не предоставлены.