Антава

MICROCHIP

Диод MASMLJ33AE3

MASMLJ33AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3 kW
Max. off-state voltage
33 V
Breakdown voltage
36.7 V
Max. forward impulse current
56.2 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMASMLJ33AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3 kW
Max. off-state voltage33 V
Breakdown voltage36.7 V
Max. forward impulse current56.2 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 36.7V; 56.2A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.