Антава

MICROCHIP

Диод MASMBJ100AE3

MASMBJ100AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
0.1 kV
Breakdown voltage
111 V
Max. forward impulse current
3.7 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMASMBJ100AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage0.1 kV
Breakdown voltage111 V
Max. forward impulse current3.7 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 111V; 3.7A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.