MICROCHIP
Диод M15KP51CAE3
ДиодИзображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Max. off-state voltage
- 51 V
- Breakdown voltage
- 56.7 V
- Max. forward impulse current
- 181 A
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Монтаж
- THT — в отверстия
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | M15KP51CAE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Max. off-state voltage | 51 V |
| Breakdown voltage | 56.7 V |
| Max. forward impulse current | 181 A |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Leakage current | 10 µA |
| Peak pulse power dissipation | 15 kW |
| Количество каналов | 1 |
| Рабочая температура | -65...150 °C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 56.7V; 181A; bidirectional; 15kW; Ch: 1; -65÷150°C
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.