Антава

LITTELFUSE

Транзистор LSIC1MO120G0040

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
50 A
Pulsed drain current
130 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяLSIC1MO120G0040
ПроизводительLITTELFUSE
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current50 A
Pulsed drain current130 A
Power dissipation357 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge175nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 357W

Документация

Документы пока не предоставлены.