Антава

LITTELFUSE

Транзистор LSIC1MO120G0025

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
70 A
Pulsed drain current
200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяLSIC1MO120G0025
ПроизводительLITTELFUSE
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current70 A
Pulsed drain current200 A
Power dissipation500 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance25 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge265nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 200A; 500W

Документация

Документы пока не предоставлены.