Антава

LITTELFUSE

Транзистор LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
25A
Pulsed drain current
80A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяLSIC1MO120E0080
ПроизводительLITTELFUSE
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current25A
Pulsed drain current80A
Power dissipation179W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-5...20V
On-state resistance80mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge95nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W

Документация

Документ производителя