Антава

MICROCHIP

Транзистор LND250K1-G

LND250K1-G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
13 mA
Pulsed drain current
30 A
Рассеиваемая мощность
0.36 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяLND250K1-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current13 mA
Pulsed drain current30 A
Рассеиваемая мощность0.36 W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1 kΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channeldepletion
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 30A; 0.36W; SOT23-3

Документация

Документы пока не предоставлены.