MICROCHIP
Транзистор LND150N8-G
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 500 V
- Drain current
- 30 mA
- Pulsed drain current
- 0.03 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.6 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 487 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%138,53 ₽
Сумма · с НДС 22%138,53 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 138,53 ₽ | |
| от 100 | 125,95 ₽ | |
| от 500 | 118,84 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | LND150N8-G |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 500 V |
| Drain current | 30 mA |
| Pulsed drain current | 0.03 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.6 W |
| Корпус | SOT89-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 1 kΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | depletion |
| Manufacturer standard package | 2000pcs. |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.