Антава

MICROCHIP

Транзистор LND150N8-G

LND150N8-G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
30 mA
Pulsed drain current
0.03 A
Рассеиваемая мощность
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяLND150N8-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current30 mA
Pulsed drain current0.03 A
Рассеиваемая мощность1.6 W
КорпусSOT89-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1 kΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channeldepletion
Manufacturer standard package2000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.