Антава

MICROCHIP

Транзистор LND150N3-G

LND150N3-G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
30 mA
Pulsed drain current
0.03 A
Рассеиваемая мощность
0.74 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 337 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%118,34 ₽

Сумма · с НДС 22%118,34 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1118,34 ₽
от 25110,08 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяLND150N3-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current30 mA
Pulsed drain current0.03 A
Рассеиваемая мощность0.74 W
КорпусTO92
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1 kΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagebulk
Kind of channeldepletion
Manufacturer standard package1000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92

Документация

Документы пока не предоставлены.