MICROCHIP
Транзистор LND01K1-G
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 9 V
- Drain current
- 0.33 A
- Pulsed drain current
- 0.6 A
- Power dissipation
- 0.36 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | LND01K1-G |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 9 V |
| Drain current | 0.33 A |
| Pulsed drain current | 0.6 A |
| Power dissipation | 0.36 W |
| Корпус | SOT23-5 |
| On-state resistance | 1.4 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | depletion |
| Manufacturer standard package | 3000pcs. |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 9V; 330mA; Idm: 0.6A; 0.36W; SOT23-5
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.