LUGUANG ELECTRONIC
Транзистор LGEGW60N65SEU
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 60 A
- Рассеиваемая мощность
- 151 W
- Корпус
- TO247
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 19 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%634,54 ₽
Сумма · с НДС 22%634,54 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 634,54 ₽ | |
| от 3 | 571,28 ₽ | |
| от 10 | 506,15 ₽ | |
| от 30 | 468,93 ₽ | |
| от 120 | 439,16 ₽ | |
| от 240 | 407,52 ₽ | |
| от 450 | 387,05 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | LGEGW60N65SEU |
|---|---|
| Производитель | LUGUANG ELECTRONIC |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 60 A |
| Рассеиваемая мощность | 151 W |
| Корпус | TO247 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 240 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 0.21µC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 123ns |
| Turn-off time | 256ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.