LUGUANG ELECTRONIC
Транзистор LGEGW50N65SEK
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 50 A
- Рассеиваемая мощность
- 166 W
- Корпус
- TO247
- Gate-emitter voltage
- ±30 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 72 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%523,41 ₽
Сумма · с НДС 22%523,41 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 523,41 ₽ | |
| от 3 | 471,07 ₽ | |
| от 10 | 415,12 ₽ | |
| от 30 | 386,24 ₽ | |
| от 120 | 362,78 ₽ | |
| от 240 | 335,70 ₽ | |
| от 450 | 315,85 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | LGEGW50N65SEK |
|---|---|
| Производитель | LUGUANG ELECTRONIC |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 50 A |
| Рассеиваемая мощность | 166 W |
| Корпус | TO247 |
| Gate-emitter voltage | ±30 V |
| Pulsed collector current | 200 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 200nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 137ns |
| Turn-off time | 331ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.