LUGUANG ELECTRONIC
Транзистор LGEGW40N120TS
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 40 A
- Рассеиваемая мощность
- 300 W
- Корпус
- TO247
- Gate-emitter voltage
- ±30 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%868,92 ₽
Сумма · с НДС 22%868,92 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 868,92 ₽ | |
| от 3 | 781,28 ₽ | |
| от 10 | 689,91 ₽ | |
| от 30 | 637,70 ₽ | |
| от 120 | 598,55 ₽ | |
| от 240 | 555,66 ₽ | |
| от 450 | 538,88 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | LGEGW40N120TS |
|---|---|
| Производитель | LUGUANG ELECTRONIC |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 40 A |
| Рассеиваемая мощность | 300 W |
| Корпус | TO247 |
| Gate-emitter voltage | ±30 V |
| Pulsed collector current | 120 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 0.21µC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 121ns |
| Turn-off time | 310ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.