Антава

LUGUANG ELECTRONIC

Транзистор LGE3M80120Q

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
31 A
Pulsed drain current
70 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяLGE3M80120Q
ПроизводительLUGUANG ELECTRONIC
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current31 A
Pulsed drain current70 A
Power dissipation300 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance0.13 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge76nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 70A; 300W

Документация

Документ производителя