Антава

LUGUANG ELECTRONIC

Транзистор LGE3M80120J

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
23A
Power dissipation
136W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяLGE3M80120J
ПроизводительLUGUANG ELECTRONIC
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current23A
Power dissipation136W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-3...15V
On-state resistance96mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 23A; 136W; D2PAK-7

Документация

Документ производителя