Антава

LUGUANG ELECTRONIC

Транзистор LGE3M80120B

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
28A
Pulsed drain current
80A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяLGE3M80120B
ПроизводительLUGUANG ELECTRONIC
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current28A
Pulsed drain current80A
Power dissipation208W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-5...20V
On-state resistance0.129Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge76nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 28A; Idm: 80A; 208W

Документация

Документ производителя