Антава

LUGUANG ELECTRONIC

Транзистор LGE3M50120Q

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
43 A
Pulsed drain current
145 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяLGE3M50120Q
ПроизводительLUGUANG ELECTRONIC
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current43 A
Pulsed drain current145 A
Power dissipation344 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 344W

Документация

Документ производителя