Антава

LUGUANG ELECTRONIC

Транзистор LGE3M45170B

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
48 A
Pulsed drain current
160 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяLGE3M45170B
ПроизводительLUGUANG ELECTRONIC
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current48 A
Pulsed drain current160 A
Power dissipation520 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance90 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge54nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W

Документация

Документ производителя