Антава

LUGUANG ELECTRONIC

Транзистор LGE3M40065B

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
58 A
Pulsed drain current
180 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяLGE3M40065B
ПроизводительLUGUANG ELECTRONIC
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current58 A
Pulsed drain current180 A
Power dissipation348 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance55 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110.8nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W

Документация

Документ производителя