Антава

LUGUANG ELECTRONIC

Транзистор LGE3M35120Q

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
44 A
Pulsed drain current
130 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяLGE3M35120Q
ПроизводительLUGUANG ELECTRONIC
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current44 A
Pulsed drain current130 A
Power dissipation300 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance63 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge148nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 44A; Idm: 130A; 300W

Документация

Документ производителя