Антава

LUGUANG ELECTRONIC

Транзистор LGE3M35065Q

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
40 A
Pulsed drain current
130 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяLGE3M35065Q
ПроизводительLUGUANG ELECTRONIC
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current40 A
Pulsed drain current130 A
Power dissipation370 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...18 V
On-state resistance55 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge30nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 130A; 370W

Документация

Документ производителя