Антава

LUGUANG ELECTRONIC

Транзистор LGE3M30065Q

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
54 A
Pulsed drain current
170 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяLGE3M30065Q
ПроизводительLUGUANG ELECTRONIC
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current54 A
Pulsed drain current170 A
Power dissipation300 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance45 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W

Документация

Документ производителя